Posee un diseño compacto donde la fuente de emisión de luz (diodo IR) y el detector (foto transistor) están dispuestos en la misma dirección

Dimensiones: 118 mm x 80 mm x 10 mm

Número de Temporizadores 3

Temperatura de operación: -10℃ +45℃

este práctico conector de tomacorriente posee unas pestañas laterales que le permite la facil inserción en una caja metálica

IRF530N Transistor MOSFET mq4 Posee un diseño compacto dondeEl transistor Mosfet IRF530N de canal N ofrece la mejor combinacin de conmutacin rpida, el diseo de este dispositivos esta hecho para uso rudo, baja resistencia y tiene una buena relacin costo efectividad. Polaridad del transistor: NPN Intensidad drenador continua Id: 14 A Tensin drenaje fuente Vds: 100 V Resistencia de activacin Rds(on): 110mohm Tensin Vgs de medicin Rds(on): 100 V Tensin umbral Vgs: 2 V Disipacin de potencia Pd: 55 W Temperatura de